点击图片查看原图
Keithley 2601B吉时利2430-C二手回收
采购数字源表281 采购商所在地：广东 东莞市 长期有效，最后更新于2015-02-27，以下是关于“数字源表”采购详情。东莞市电子仪器仪表回收公司
联系人：陈先生
手机:15889395286
QQ：1912682229
电话：0769-82134961
阿里旺旺：147258bbang
邮箱：1912682229@qq.com
邮政编码:523710
淘宝店铺：http://shop108733225.taobao.com
联系地址：广东省东莞市塘厦镇第一工业区
----------
2601B型源表SMU是全新改良版单通道SMU，美国吉时利
KEITHLEY2600数字源表进行VCSEL测试
美国吉时利KEITHLEY2600测量光伏电池的I-V特性
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表的SCPI应用转换为2600系列源表的脚本应用
美国吉时利KEITHLEY2600系列数字源表进行IDDQ测试和待机电流测试
使用两台美国吉时利KEITHLEY2600型数字源表输出2
详细说明Keithley 2601B,Keithley 2430-C
中国电子行业仪器优质供应商——坚融实业JETYOO INDUSTRIAL，
技术支持Support、销售Sale、服务Service，3S公司，提供解决
方案、测试测量技术改进、技术培训、采购管理、售后维修服务。
吉时利KEITHLEY2600B系列源表研究领域：
各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：
离散和无源元件
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻
（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等
简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC
–射频集成电路（RFIC）
–专用集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）
、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
太阳能电池
电池
暂态抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路
测试：Keithley 2601B,Keithley 2430-C
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性
双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计
分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量
纳米级器件和材料的电气测量
提高超高电阻和电阻率测量的可重复性
一种微分电导的改进测量方法
纳米技术准确电气测量的技术
纳米级材料的电气测量
降低外部误差源影响的仪器技术
迎接65nm节点的测量挑战
测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压
用微微微安量程测量电流
栅极电介质电容电压特性分析
评估氧化层的可靠性Keithley 2601B,Keithley 2430-C
最新的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于先进CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析
1. MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂–
最大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向–光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定；
与 C-V 曲线比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs 与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit
= f (Ψs) 与 Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)
注意：近期接到会员举报有不良企业利用求购平台发布虚假采购信息，以收取“押金、差旅费”等名义诈骗财物。建议广大会员在遇到类似情况时，提高警惕，谨防受骗!
点击右侧图标查看是否已被收录：
本页链接：http://buy.qieta.com/show-95891.html
查看 最新数字源表求购信息» 或 发布数字源表求购信息»
“Keithley 2601B吉时利2430-C二手回收”由切它网求购频道免费提供发布，该信息由企业自行提供，该企业负责信息内容的真实性、准确性和合法性。切它网不负任何保证责任！请谨慎网上交易，请不要随意给陌生人汇款，以免上当受骗！这儿汇聚海量求购信息。注册即可免费浏览，让您足不出户即可成交生意。(其他电子测量仪器,9452)
